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XUV04M-50B-5G
X光相机(全真空及半真空)采用新一代无抗反射镀膜背照式sCMOS芯片,在对应1.2eV-1000eV光子能量范围内量子效率大幅提升,整体超过了90%,部分波段达到了近乎100%的超高水平,具有更专业的软X射线、极紫外成像性能和抗辐射损伤能力。采用深度制冷设计,可兼容高真空腔体环境应用,大幅降低相机本底噪声和热噪声,提升相机的长时曝光工作时间。
 
产品型号 XUV04M-50B-5G
传感器类型 背照式sCMOS
分辨率 2048×2048 (H×V)
有效面积 13.3mm×13.3mm
像元尺寸 6.5μm×6.5μm
安装接口 CF100法兰,支持定制
光谱范围 1.2eV~1000eV;1nm~1100nm
真空兼容度 10-5Pa
制冷/散热 半导体制冷、风冷+水冷散热、低于环境温度50℃,控温精度0.1℃
 
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