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XUV04M-50BP-5G
半真空X光相机采用新一代无抗反射镀膜背照式sCMOS芯片,在对应1.2eV-1000eV光子能量范围内量子效率大幅提升,整体超过了90%,部分波段达到了近乎100%的超高水平,具有更专业的软X射线、极紫外成像性能和抗辐射损伤能力。
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技术参数
量子效率曲线
外形尺寸
产品型号
XUV04M-50BP-5G
传感器类型
无抗反射镀膜背照式sCMOS
分辨率
2048×2048 (H×V)
有效面积
13.3mm×13.3mm
像元尺寸
6.5μm×6.5μm
安装接口
CF100法兰,支持定制
光谱范围
1.2eV~1000eV;1nm~1100nm
真空兼容度
10
-5
Pa
制冷/散热
半导体制冷、风冷+水冷散热、低于环境温度50℃,控温精度0.1℃
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