92%@590nm

200nm~1100nm

4096(H)×4096(V)

9μm×9μm

5GigE&USB3.0

仿全局快门

73.94%600nm

4096(H)×4096(V)

9μm×9μm

5GigE&USB3.0

95%QE@560nm

200nm~1100nm

2048(H)×2048(V)

11μm×11μm

5GigE&USB3.0

仿全局快门

2048(H)×2048(V)

11μm×11μm

16bit数据

5GigE&USB3.0

仿全局快门

93.7%QE@550nm

200nm~1100nm

43fps@全分辨率

5GigE&USB3.0

仿全局快门

2048(H)×2048(V)

6.5μm×6.5μm

43fps@全分辨率

5GigE&USB3.0

1.5μm~5.5μm

<1微秒曝光时间

制冷温度80K，-193.15℃

适配光斑分析软件

NETD≤18mk@20℃

3.7μm~4.8μm

<1微秒曝光时间

制冷温度80K，-193.15℃

适配光斑分析软件

NETD≤18mk@20℃

>80%QE@平均

400nm~1700nm

130fps

适配光斑分析软件

5GigE&USB3.0

>80%QE@平均

400nm~1700nm

250fps

适配光斑分析软件

5GigE&USB3.0

17µm×17µm

≤40mk@300K，50Hz

8μm~14μm

50fps

适配光斑分析软件

>70%QE@平均

15µm×15µm

600fps

适配光斑分析软件

5GigE&USB3.0

2048(H)×2048(V)

5µm×5µm

320nm~1100nm

适配光斑分析软件

5GigE&USB3.0

真全局快门

动态范围>96dB

9.7µm×9.7µm

>90%QE@峰值

5GigE&USB3.0

读出噪声<0.5e-

动态范围>100dB

9.7µm×9.7µm

近红外增强

5GigE&USB3.0

读出噪声<0.5e-

动态范围>100dB

9.7µm×9.7µm

>90%QE@峰值

5GigE&USB3.0

1920×1080 (H×V)

6.5µm×6.5µm

长时真空工作

水冷散热

GigE/FC

4096×4096 (H×V)

9µm×9µm

长时真空工作

水冷散热

GigE/FC

2048×2048 (H×V)

6.5µm×6.5µm

长时真空工作

水冷散热

GigE/FC

4096×4096 (H×V)

4.5µm×4.5µm

长时真空工作

储热材料吸热

专利保护

5120×5120 (H×V)

2.5µm×2.5µm

长时真空工作

储热材料吸热

专利保护

5.4英寸超大靶面

6144×6144（H×V）

10μm×10μm

储热材料+水冷散热

真空兼容度10^-3Pa

5.4英寸超大靶面

6144×6144（H×V）

10μm×10μm

储热材料+水冷散热

真空兼容度10^-3Pa

11μm×11μm

近100%QE@80eV~1000eV

风冷+水冷散热，低于环境温度50℃

真空兼容度10^-5Pa

5GigE&USB3.0

11μm×11μm

200nm~1100nm

风冷+水冷散热，低于环境温度50℃

真空兼容度10^-5Pa

5GigE&USB3.0

6.5μm×6.5μm

近100%QE@80eV~1000eV

风冷+水冷散热，低于环境温度50℃

真空兼容度10^-5Pa

5GigE&USB3.0

6.5μm×6.5μm

200nm~1100nm

风冷+水冷散热，低于环境温度50℃

真空兼容度10^-5Pa

5GigE&USB3.0

近100%QE@80eV~1000eV

11μm×11μm

半导体制冷、储热材料吸热

真空持续工作4h

真空兼容度10^-3Pa

11μm×11μm

200nm~1100nm

半导体制冷、储热材料吸热

真空持续工作4h

真空兼容度10^-3Pa

近100%QE@80eV~1000eV

6.5μm×6.5μm

半导体制冷、储热材料吸热

真空持续工作4h

真空兼容度10^-3Pa

6.5μm×6.5μm

200nm~1100nm

半导体制冷、储热材料吸热

真空持续工作4h

真空兼容度10^-3Pa

4096×4096

9μm×9μm

半导体制冷

水冷/储热材料散热

1：1光纤面板耦合

1:1光纤面板耦合，配CsI膜

空间分辨率>50lp/mm

半导体制冷，水冷散热

长时间真空工作

真空兼容度10-5Pa